满足开关电源要求的功率MOSFET“PG电子平台”

本文摘要:近年来,电源的输入电压越来越低、输入电流更加大(某些电源系统输入几十安培到上百安培)。因此,电源设计中使用开关电源控制器、再加多个驱动器及功率MOSFET构成的静电学开关电源能符合这种拒绝。若使用静电学控制器与功率MOSFET构成的结构,应用于十分灵活性,可以根据输入电流的大小合理选择开关管及实时整流管,并且可取得很好的转模效率及较低的纹波电压。

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近年来,电源的输入电压越来越低、输入电流更加大(某些电源系统输入几十安培到上百安培)。因此,电源设计中使用开关电源控制器、再加多个驱动器及功率MOSFET构成的静电学开关电源能符合这种拒绝。若使用静电学控制器与功率MOSFET构成的结构,应用于十分灵活性,可以根据输入电流的大小合理选择开关管及实时整流管,并且可取得很好的转模效率及较低的纹波电压。

  为增加在工作频率低时的电源管损耗,拒绝电源管的栅极电容小、导通电阻小;并且拒绝输入漏极电流大,不少功率MOSFET厂家争相研发出有各种较低Qg、较低RDS(on)及大ID的专用开关电源MOSFET。本文讲解Infineon公司在2007年7月发售的为开关电源设计的N闸极低电源速度功率MOSFET。它的型号是BSCO16NO3LSG。

它的产品概要为:VDS=30V、RDS(on)=1.6m、ID=100A。  主要特点及有关参数  BSCO16NO3LSG的主要特点及有关参数:  1.可使用TTL逻辑电压掌控;  2.在TTL逻辑低电压时,其导通电阻RDS(on)较小。如VGS=5V时,RDS(on)=1.7m;VGS=4.5V时,RDS(on)=1.8m;VGS=4V时,RDS(on)=2m;并且ID在0~50A范围内变化,RDS(on)恒定,如图1右图;    图1BSCO16NO3LSG的典型溢-源导通电阻  栅极电荷QgRDS(on)的乘积小,不利于工作于高频率时增大损耗及具备较好的电源特性;  3.热阻RJC较低,RJC=1℃/W;并且在40mm40mm1.5mm单层的屋铜板(环氧树脂PCB),其铜层面积为6cm2(铜层薄70M),PCB横向在惯性空气中的热阻RJA=50℃/W。

这解释在一定工作条件下,功率MOSFET所需的加热风扇的PCB面积并不大,可以增加PCB面积;  4.小尺寸PGTDSON8PCB(一种PCB背面有较小面积风扇夹的结构),其尺寸为:6mm5mm1mm。其背面形状如图2右图;    图2BSCO16NO3LSG的PCB背面有较小面积风扇垫  5.在充足大的风扇面积条件下,VGS=4.5V,该器件风扇夹的温度TC在25℃~100℃范围,其仅次于的倒数ID平均100A。

如果在其骑侍郎热敷铜层面积为6cm2的条件下(RJA=50℃/W),VGS=10V、TA环境温度=25℃,其仅次于倒数ID为32A。如果拒绝倒数ID小于32A,可减少风扇面积或使用双层的屋铜层的PCB。


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